受惠智能手机、平板电脑和企业级SSD应用的强劲成长，2013年NAND Flash需求年增长率高达46%。从制程转进的步伐来看，2013年，2X纳米与1X纳米仍是NAND Flash的主流制程，不过随着NAND Flash制程微缩逐渐逼近物理极限，各企业已经开发出3D NAND Flash来突破单位面积存储容量的限制，在三星、东芝和美光等厂商的引领下，其他阵营也已加速3D NAND Flash的开发进度。目前，三星电子已经开始生产“V-NAND”，东芝与SanDisk已经发力“BiCS”，SK海力士与美光、英特尔阵营也明确宣告各自3D NAND Flash的蓝图将接棒16纳米。

集邦科技杨文得告诉记者，每种3D技术都会有各自的专利，三星快于其他厂商的原因，在于自己能够生产控制芯片。在开发NAND Flash的同时，控制芯片也同步开发，二者在时间上可保持同步，同时，由于整个进程都在同一家公司内部完成，既可缩短沟通时间，也可提升故障解决的效率。所以杨文得认为，未来闪存的竞争不只是NAND Flash的生产，更是靠控制芯片的搭配。东芝、闪迪和海力士，也意识到自主开发主控芯片，能提升成品推出的效率，所以从去年开始，也开始自主开发主控芯片。

深圳佰维存储科技有限公司技术研发总监李振华则认为，三星之所以做主控，是因为对自己的Flash了解比较深，当新产品成熟以后，它就会把主控放掉给专业公司去做，因为这样的成本更低。“主控对三星只是很小的业务，自己做要投入很多的人力物力，产品成熟后完全没必要自己做。

对于未来的竞争态势，杨文得表示，虽然三星目前有领先优势，但在未来竞争格局方面，三星不会独大，明年其它家就会陆续量产，而且独大对业界也不会健康。巨头公司如何获取更大的市占率？他说：“其实闪存市场只剩下四大阵营，以前核心武器是增大市占率、成本最低，而现在是尽快推出产品，并满足客户的要求，整体来看，是从过去的价格导向转变为现在的技术导向和产品导向，未来谁能领先快速推出可用的总体解决方案，谁就是赢家。”

魏松也表示，智能手机客户很怕只有一家供应商，因此不太会出现一家独大的局面，中国的手机客户会分享更多的竞争对手。至于未来的格局，东芝和三星会领先，海力士和美光紧跟。但从DRAM+NAND整体来看，新美光集团会排名第二，未来的市场以三星、美光和海力士三家为主导。

在产线的建设上面，杨文得称，2D跟3D还是有很大的不同，重新设一条3D产线的成本，比从2D转移到3D要划算，东芝在日本的第5号厂，以及三星在西安建的3D工厂，都是全新的产线，设备也都是全新购买。目前来看，3D良率还不成熟，而1X纳米良率相对较高，成本也较低。从制程的转换顺序来看，1X纳米过后还有一个1Y和1Z纳米，1Z到时也会跟3D平行，当3D单位成本变得更好，良率变得更高之后，才会慢慢取代1Z。

除了国际巨头的争相竞技，国内厂商的机会在哪里？杨文得表示，现在3D NAND Flash实力大的都是那几大原厂，国内公司（包括台湾）都是跟三星、东芝、美光购买晶圆，然后来做模组，比如大陆江波龙、佰维过去在卡片机、U盘等消费级市场做得不错，但3D更多是企业级的应用，这对它们来说会比较陌生，也比较辛苦。还有，五大厂商掌控着全球的wafer资源，在价格谈判方面，国内厂商不太会有明显的优势。

据悉，随着寡头垄断局势的成型，在晶圆的拿货价格上，五大厂商都比较强硬，而且国内公司要往3D NAND Flash转进，不光是要买晶圆，还需要强大的工程技术能力和客户服务来满足大数据公司的需求，这样一来它们的压力也会增加。

魏松也表示：“它们没有自己的wafer,生产3D NAND Flash并非易事，前期的IP和技术积累都需要时间沉淀，而三星有主控芯片，有NAND Flash也有整机，产业链完整，我们一直追得很辛苦，相信其它厂商也感同身受。”

杨文得表示，尽管国内厂商难以在3D环节跟国际大厂同步，但NAND Flash市场的饼很大，佰维和江波龙等都是非常有弹性的公司，不一定要去争中兴、华为这样的大客户，找准利基市场机会依然很多。

作为国内NAND Flash公司的代表，佰维李振华告诉记者，每一次NAND Flash制程的演变，对大公司是契机，对小公司是挑战，但国内大的模组厂都会关注3D制程。“我们跟原厂的关系比较稳定，新的样品出来，我们都会提前做设计和主控的测试验证，目前关键看上游3D NAND良率的进程。”

“3D工艺能降低Flash成本、提升性能，给企业竞争带来正面影响，所以拥有3D工艺或者提前成熟3D工艺，将给企业带来更丰厚的利润和更高的市场份额。作为国内NAND Flash企业，因为缺少NAND Flash晶圆，所以只能与国际大厂合作，并且得到国际大厂认可，才能参与到国际竞争。”国内某存储企业受访者说。